Estudio de Confiabilidad en Diodos Basados en AlGaN/GaN Durante el Estado de Encendido
Este trabajo tiene como objetivo estudiar la degradación de los diodos de barrera Schottky (SBD) con una terminación de borde cerrado (GET) bajo condiciones de estrés en estado de encendido en tecnologías de 200V y 650V. Después de todos los experimentos de estrés, se observa un comportamiento recup...
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| Publicado no: | Revista Politécnica |
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| Principais autores: | , , , |
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Espanhol |
| Publicado em: |
Escuela Politécnica Nacional
2022
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=688772225003 https://www.redalyc.org/journal/6887/688772225003/ https://www.redalyc.org/journal/6887/688772225003/html/ https://www.redalyc.org/journal/6887/688772225003/688772225003.epub https://www.redalyc.org/journal/6887/688772225003/movil |
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