Пропуск в контексте
Институтский логин
Язык
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Māori
தமிழ்
Все поля
Автор
Заглавие
Заглавие журнала
Предмет
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
Effect of GaN substrate thickn...
Email-запись
Email-запись:
Effect of GaN substrate thickness on the optical field of InGaN laser diodes
по:
Сообщение:
