QR код

Growth and characterization of Cd1−XZnXTe (0 ≤ x ≤ 1) nanolayers grown by isothermal closed space atomic layer deposition on GaSb and GaAs

In this work are presented the results obtained from the deposition of Cd1−XZnXTe nanolayers using as precursor the vapours of the elements Zn, Te, and a mixture of Cd and Zn on GaAs and GaSb (001) substrates by Atomic Layer Deposition technique (ALD), which allows the deposition of layers of nanome...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в::Revista Mexicana de Física
Автори: R. S. Castillo Ojeda, J. Díaz-Reyes, M. Galvan-Arellano, K.N. Rivera-Hernandez, M.S. Villa-Ramírez, S. Luna-Suarez
Формат: Artigo
Мова:Inglês
Опубліковано: Sociedad Mexicana de Física A.C. 2018
Предмети:
Онлайн доступ:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57082913001
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!