Caracterizacion eléctrica de capas semiconductoras de Ga1-xInxAsySb1-y

El Ga1−xInxAsySb1−y es un semiconductor utilizado en la fabricacion de dispositivos optoelectr ´ onicos que trabajan en el infrarrojo. Uno de ´ los factores a considerar en el diseno de estos dispositivos es la caracter ˜ ´ıstica electrica de los contactos, ya que su desempe ´ no se ve afectado ˜ po...

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Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Revista Mexicana de Física
Hlavní autoři:	A. Villada, L. Tirado-Mejía, D.G. Espinosa, C.A. Ortíz, H. Ariza-Calderón, M.E. Gómez, D.F. Gutiérrez
Médium:	Artigo
Jazyk:	Espanhol
Vydáno:	Sociedad Mexicana de Física A.C. 2007
Témata:	Física, Astronomía y Matemáticas
On-line přístup:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57036163056
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!