Influencia de la geometría y dopaje en las propiedades electrónicas de la hoja SiC
Se analiza el efecto de la geometría en las propiedades electrónicas de la hoja de carburo de silicio (SiC) usando para ello la Teoría del Funcional de la Densidad a nivel de la Aproximación de la Densidad Local (LDA), usamos un modelo de cúmulo rectangular (Si12C12H12) y triangular (Si12C12H10) par...
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| Publicado no: | Revista Mexicana de Física |
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| Autor principal: | |
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Espanhol |
| Publicado em: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2011
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57021109003 |
| Tags: |
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