Efectos de presión hidrostática sobre la densidad de estados de impurezas donadoras en puntos cuánticos de GaAs/AlxGa1-xAs

Usando el método variacional y la aproximación de masa efectiva, calculamos la densidad de estados de impurezas donadoras poco profundas, en función de la energía de enlace, en puntos cuánticos cúbicos de GaAs/Ga¡)A xAs bajo efectos de presión hidrostática. Los resultados se presentan para posicione...

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Dettagli Bibliografici

Pubblicato in:	PROSPECTIVA
Autori principali:	Walter Antonio Ospina Muñoz, Ricardo León Restrepo Arango, Parménides Aristizábal Uribe, Carlos Alberto Duque Echeverr
Natura:	Artigo
Lingua:	Espanhol
Pubblicazione:	Universidad Autónoma del Caribe 2007
Soggetti:	Ingeniería
Accesso online:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=496251110007
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