Načítá se...

Energy Levels in Si and SrTiO3-Based Quantum Wells with Charge Image Effects

In the present work we develop a theoretical study to analyze how the image charges effects can modify theelectronic properties in Si and SrTiO3-based quantum wells. We have used the method based on the calculationof the image charge potential by solving Poisson equation in cylindrical coordinates....

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Brazilian Journal of Physics
Hlavní autoři: M. G. Bezerra, T. A. S. Pereira, J. A. K. Freire, V. N. Freire, G. A. Farias
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: Sociedade Brasileira de Física 2006
Témata:
Si
On-line přístup:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46436330
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!