CH3CN on Si(001): Adsorption Geometries and Electronic Structure
In this work we employ the state of the art pseudopotential method, within a generalized gradient approximationto the density functional theory, to investigate the adsorption process of acetonitrile on the silicon surface. Ourfirst-principles calculations indicate that CH3CN adsorbs via a [2+2] cycl...
Zapisane w:
| Wydane w: | Brazilian Journal of Physics |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Sociedade Brasileira de Física
2004
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46434444 |
| Etykiety: |
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|