Propiedades electrónicas de un anillo cuántico elíptico con sección transversal rectangular
Los estados electrónicos de un anillo cuántico elíptico de GaAs embebido en una matriz de AlxGa1-xAs son investigados mediante la aproximación de masa efectiva. El anillo cuántico es construido con una sección transversal rectangular (dirección radial). La ecuación de Schrödinger es resuelta mediant...
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| Pubblicato in: | Revista EIA |
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| Autori principali: | , , |
| Natura: | Artigo |
| Lingua: | Espanhol |
| Pubblicazione: |
Escuela de Ingeniería de Antioquia
2019
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| Soggetti: | |
| Accesso online: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=149258931006 https://www.redalyc.org/journal/1492/149258931006/ https://www.redalyc.org/journal/1492/149258931006/html/ https://www.redalyc.org/journal/1492/149258931006/149258931006.epub https://www.redalyc.org/journal/1492/149258931006/movil https://doi.org/10.24050/reia.v16i31.1255 |
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