POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES
Se presentan los cálculos teóricos de la energía y la función de onda del estado base y primer estado excitado de un electrón confinado en un pozo cuántico de GaAsAl/GaAs con perfil de potencial tipo Morse usando la aproximación de masa efectiva y el método de función de onda envolvente. Se analizan...
保存先:
| 出版年: | Revista EIA |
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| 主要な著者: | , , , , , , |
| フォーマット: | Artigo |
| 言語: | Espanhol |
| 出版事項: |
Escuela de Ingeniería de Antioquia
2016
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| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=149247634010 |
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