تحميل...
Multi-level characteristics of TiO(x) transparent non-volatile resistive switching device by embedding SiO(2) nanoparticles
TiO(x)-based resistive switching devices have recently attracted attention as a promising candidate for next-generation non-volatile memory devices. A number of studies have attempted to increase the structural density of resistive switching devices. The fabrication of a multi-level switching device...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Sci Rep |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Nature Publishing Group UK
2021
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC8110581/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33972612 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-021-89315-z |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|