Trích dẫn APA

Doherty, J. L., Noyce, S. G., Cheng, Z., Abuzaid, H., & Franklin, A. D. (2020). Capping Layers to Improve the Electrical Stress Stability of MoS(2) Transistors. ACS Appl Mater Interfaces.

Trích dẫn kiểu Chicago

Doherty, James L., Steven G. Noyce, Zhihui Cheng, Hattan Abuzaid, và Aaron D. Franklin. "Capping Layers to Improve the Electrical Stress Stability of MoS(2) Transistors." ACS Appl Mater Interfaces 2020.

Trích dẫn MLA

Doherty, James L., et al. "Capping Layers to Improve the Electrical Stress Stability of MoS(2) Transistors." ACS Appl Mater Interfaces 2020.

Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.