An antibonding valence band maximum enables defect-tolerant and stable GeSe photovoltaics

In lead–halide perovskites, antibonding states at the valence band maximum (VBM)—the result of Pb 6s-I 5p coupling—enable defect-tolerant properties; however, questions surrounding stability, and a reliance on lead, remain challenges for perovskite solar cells. Here, we report that binary GeSe has a...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Nat Commun
Những tác giả chính: Liu, Shun-Chang, Dai, Chen-Min, Min, Yimeng, Hou, Yi, Proppe, Andrew H., Zhou, Ying, Chen, Chao, Chen, Shiyou, Tang, Jiang, Xue, Ding-Jiang, Sargent, Edward H., Hu, Jin-Song
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Nature Publishing Group UK 2021
Những chủ đề:
Article
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7844217/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33510157
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41467-021-20955-5
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự