লোডিং...
Review on Driving Circuits for Wide-Bandgap Semiconductor Switching Devices for Mid- to High-Power Applications
Wide-bandgap (WBG) material-based switching devices such as gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs) and silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) are considered very promising candidates for replacing conventional silicon (Si) MOSFETs...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Micromachines (Basel) |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
MDPI
2021
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7826992/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33430093 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/mi12010065 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|