Ładuje się......
Two-Dimensional Silicon Carbide: Emerging Direct Band Gap Semiconductor
As a direct wide bandgap semiconducting material, two-dimensional, 2D, silicon carbide has the potential to bring revolutionary advances into optoelectronic and electronic devices. It can overcome current limitations with silicon, bulk SiC, and gapless graphene. In addition to SiC, which is the most...
Zapisane w:
| Wydane w: | Nanomaterials (Basel) |
|---|---|
| Główni autorzy: | , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
MDPI
2020
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7697452/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33182438 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/nano10112226 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|