Đang tải...
Avalanche Transients of Thick 0.35 µm CMOS Single-Photon Avalanche Diodes
Two types of single-photon avalanche diodes (SPADs) with different diameters are investigated regarding their avalanche behavior. SPAD type A was designed in standard 0.35-µm complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) including a 12-µm thick p(-) epi-layer with diameters of 50, 100, 200, and 400...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Micromachines (Basel) |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI
2020
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7569859/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32961756 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/mi11090869 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|