Temperature-dependent infrared ellipsometry of Mo-doped VO(2) thin films across the insulator to metal transition

We present a spectroscopic ellipsometry study of Mo-doped VO(2) thin films deposited on silicon substrates for the mid-infrared range. The dielectric functions and conductivity were extracted from analytical fittings of Ψ and Δ ellipsometric angles showing a strong dependence on the dopant concentra...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Sci Rep
Những tác giả chính: Amador-Alvarado, S., Flores-Camacho, J. M., Solís-Zamudio, A., Castro-García, R., Pérez-Huerta, J. S., Antúnez-Cerón, E., Ortega-Gallegos, J., Madrigal-Melchor, J., Agarwal, V., Ariza-Flores, D.
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Nature Publishing Group UK 2020
Những chủ đề:
Article
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7244498/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32444609
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-020-65279-4
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự