تحميل...
Inkjet-Printed Molybdenum Disulfide and Nitrogen-Doped Graphene Active Layer High On/Off Ratio Transistors
Fully inkjet-printed device fabrication is a crucial goal to enable large-area printed electronics. The limited number of two-dimensional (2D) material inks, the bottom-gated structures, and the low current on/off ratio of thin-film transistors (TFTs) has impeded the practical applications of the pr...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Molecules |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI
2020
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7179098/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32121080 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/molecules25051081 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|