Ładuje się......

Quantum spin-valley Hall effect in AB-stacked bilayer silicene

Our density functional theory calculations show that while AB-stacked bilayer silicene has a non-quantized spin-valley Chern number, there exist backscattering-free gapless edge states within the bulk gap, leading to a quantum spin-valley Hall effect. Using a tight-binding model for a honeycomb bila...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Sci Rep
Główni autorzy: Lee, Kyu Won, Lee, Cheol Eui
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: Nature Publishing Group UK 2019
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6923400/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31857647
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-019-55927-9
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!