تحميل...
Improved Output Power of GaN-based VCSEL with Band-Engineered Electron Blocking Layer
The vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) has unique advantages over the conventional edge-emitting laser and has recently attracted a lot of attention. However, the output power of GaN-based VCSEL is still low due to the large electron leakage caused by the built-in polarization at the het...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Micromachines (Basel) |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI
2019
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6843317/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31614868 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/mi10100694 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|