טוען...
Silicon Quantum Dot Light Emitting Diode at 620 nm
Here we report a quantum dot light emitting diode (QLED), in which a layer of colloidal silicon quantum dots (SiQDs) works as the optically active component, exhibiting a strong electroluminescence (EL) spectrum peaking at 620 nm. We could not see any fluctuation of the EL spectral peak, even in air...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Micromachines (Basel) |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
MDPI
2019
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6562877/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31083550 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/mi10050318 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|