Nicholls, J., Dimitrijev, S., Tanner, P., & Han, J. (2019). Description and Verification of the Fundamental Current Mechanisms in Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes. Sci Rep.
Trích dẫn kiểu ChicagoNicholls, Jordan, Sima Dimitrijev, Philip Tanner, và Jisheng Han. "Description and Verification of the Fundamental Current Mechanisms in Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes." Sci Rep 2019.
Trích dẫn MLANicholls, Jordan, Sima Dimitrijev, Philip Tanner, và Jisheng Han. "Description and Verification of the Fundamental Current Mechanisms in Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes." Sci Rep 2019.
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.