Kim, J. H., Kim, H. W., Kim, G., Kim, S., & Park, B. (2019). Demonstration of Fin-Tunnel Field-Effect Transistor with Elevated Drain. Micromachines (Basel).
Styl ChicagoKim, Jang Hyun, Hyun Woo Kim, Garam Kim, Sangwan Kim, a Byung-Gook Park. "Demonstration of Fin-Tunnel Field-Effect Transistor With Elevated Drain." Micromachines (Basel) 2019.
Citace podle MLAKim, Jang Hyun, et al. "Demonstration of Fin-Tunnel Field-Effect Transistor With Elevated Drain." Micromachines (Basel) 2019.
Upozornění: Tyto citace jsou generovány automaticky. Nemusí být zcela správně podle citačních pravidel..