Φορτώνει......
Vertical Gate-All-Around Nanowire GaSb-InAs Core-Shell n-Type Tunnel FETs
Tunneling Field-Effect Transistors (TFET) are one of the most promising candidates for future low-power CMOS applications including mobile and Internet of Things (IoT) products. A vertical gate-all-around (VGAA) architecture with a core shell (C-S) structure is the leading contender to meet CMOS foo...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Τόπος έκδοσης: | Sci Rep |
|---|---|
| Κύριοι συγγραφείς: | , , , , , , , , |
| Μορφή: | Artigo |
| Γλώσσα: | Inglês |
| Έκδοση: |
Nature Publishing Group UK
2019
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6336843/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30655575 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-018-36549-z |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|