Đang tải...
High-throughput ab initio calculations on dielectric constant and band gap of non-oxide dielectrics
High-k dielectrics, materials having a large band gap (E(g)) and high dielectric constant (k) simultaneously, constitute critical components in microelectronic devices. Because of the inverse relationship between E(g) and k, materials with large values in both properties are rare. Therefore, massive...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sci Rep |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group UK
2018
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6172237/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30287929 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-018-33095-6 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|