Đang tải...

High-throughput ab initio calculations on dielectric constant and band gap of non-oxide dielectrics

High-k dielectrics, materials having a large band gap (E(g)) and high dielectric constant (k) simultaneously, constitute critical components in microelectronic devices. Because of the inverse relationship between E(g) and k, materials with large values in both properties are rare. Therefore, massive...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Sci Rep
Những tác giả chính: Lee, Miso, Youn, Yong, Yim, Kanghoon, Han, Seungwu
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Nature Publishing Group UK 2018
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6172237/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30287929
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-018-33095-6
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!