Electrical Properties of Midwave and Longwave InAs/GaSb Superlattices Grown on GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy

In the present work, we report on the in-plane electrical transport properties of midwave (MWIR) and longwave infrared (LWIR) InAs/GaSb type-II superlattices (T2SLs) grown by molecular beam epitaxy (MBE) system on GaAs (001) substrate. The huge lattice mismatch between the T2SL and GaAs substrate is...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Nanoscale Res Lett
Những tác giả chính: Benyahia, D., Kubiszyn, Ł., Michalczewski, K., Boguski, J., Kębłowski, A., Martyniuk, P., Piotrowski, J., Rogalski, A.
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Springer US 2018
Những chủ đề:
Nano Express
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6033846/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29978267
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-018-2612-4
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự