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Interfacial magnetic-phase transition mediated large perpendicular magnetic anisotropy in FeRh/MgO by a heavy transition-metal capping

Stacking a magnetic memory junction in spintronic devices necessarily involves making contacts with a transitional-metal capping electrode. Herein, by means of first-principles calculations, we reveal the importance of heavy transition-metal capping on magnetic-phase transition from antiferromagneti...

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Detalhes bibliográficos
Publicado no:Sci Rep
Autor principal: Odkhuu, Dorj
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: Nature Publishing Group UK 2018
Assuntos:
Acesso em linha:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5932016/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29720599
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-018-24977-w
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