A silicon metal-oxide-semiconductor electron spin-orbit qubit

The silicon metal-oxide-semiconductor (MOS) material system is a technologically important implementation of spin-based quantum information processing. However, the MOS interface is imperfect leading to concerns about 1/f trap noise and variability in the electron g-factor due to spin–orbit (SO) eff...

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Pubblicato in:Nat Commun
Autori principali: Jock, Ryan M., Jacobson, N. Tobias, Harvey-Collard, Patrick, Mounce, Andrew M., Srinivasa, Vanita, Ward, Dan R., Anderson, John, Manginell, Ron, Wendt, Joel R., Rudolph, Martin, Pluym, Tammy, Gamble, John King, Baczewski, Andrew D., Witzel, Wayne M., Carroll, Malcolm S.
Natura: Artigo
Lingua:Inglês
Pubblicazione: Nature Publishing Group UK 2018
Soggetti:
Article
Accesso online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5931988/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29720586
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41467-018-04200-0
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