লোডিং...
Ferroelectric Field Effect Induced Asymmetric Resistive Switching Effect in BaTiO(3)/Nb:SrTiO(3) Epitaxial Heterojunctions
Asymmetric resistive switching processes were observed in BaTiO(3)/Nb:SrTiO(3) epitaxial heterojunctions. The SET switching time from the high-resistance state to low-resistance state is in the range of 10 ns under + 8 V bias, while the RESET switching time from the low-resistance state to high-resi...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Springer US
2018
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5899076/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29654517 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-018-2513-6 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|