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Investigation of Surface Morphology of 6H-SiC Irradiated with He(+) and H(2)(+) Ions

Light ion implantation is one of the important procedures of smart cut for SiC-based semiconductor fabrication. This work investigated the surface morphologies and microstructures of single crystal 6H-SiC irradiated by one or both of H(2)(+) and He(+) ions at room temperature and then annealed at sp...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Materials (Basel)
Hauptverfasser: Shen, Qiang, Ran, Guang, Zhou, Wei, Ye, Chao, Feng, Qijie, Li, Ning
Format: Artigo
Sprache:Inglês
Veröffentlicht: MDPI 2018
Schlagworte:
Online Zugang:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5848979/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29439460
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma11020282
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