Probing the dielectric response of the interfacial buffer layer in epitaxial graphene via optical spectroscopy

Monolayer epitaxial graphene (EG) is a suitable candidate for a variety of electronic applications. One advantage of EG growth on the Si face of SiC is that it develops as a single crystal, as does the layer below, referred to as the interfacial buffer layer (IBL), whose properties include an electr...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Phys Rev B
Những tác giả chính: Hill, Heather M., Rigosi, Albert F., Chowdhury, Sugata, Yang, Yanfei, Nguyen, Nhan V., Tavazza, Francesca, Elmquist, Randolph E., Newell, David B., Hight Walker, Angela R.
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: 2017
Những chủ đề:
Article
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5846628/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29541699
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.96.195437
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự