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Crystal growth kinetics in undercooled melts of pure Ge, Si and Ge–Si alloys

We report on measurements of crystal growth dynamics in semiconducting pure Ge and pure Si melts and in Ge(100−x)Si(x) (x = 25, 50, 75) alloy melts as a function of undercooling. Electromagnetic levitation techniques are applied to undercool the samples in a containerless way. The growth velocity is...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Philos Trans A Math Phys Eng Sci
Hauptverfasser: Herlach, Dieter M., Simons, Daniel, Pichon, Pierre-Yves
Format: Artigo
Sprache:Inglês
Veröffentlicht: The Royal Society Publishing 2018
Schlagworte:
Online Zugang:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5784096/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29311204
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1098/rsta.2017.0205
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