Ładuje się......

Formation of Two-dimensional Electron Gas at Amorphous/Crystalline Oxide Interfaces

Experimentally, we found the percentage of low valence cations, the ionization energy of cations in film, and the band gap of substrates to be decisive for the formation of two-dimensional electron gas at the interface of amorphous/crystalline oxide (a-2DEG). Considering these findings, we inferred...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Sci Rep
Główni autorzy: Li, ChengJian, Hong, YanPeng, Xue, HongXia, Wang, XinXin, Li, Yongchun, Liu, Kejian, Jiang, Weimin, Liu, Mingrui, He, Lin, Dou, RuiFen, Xiong, ChangMin, Nie, JiaCai
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: Nature Publishing Group UK 2018
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5762893/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29321497
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-18746-4
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!