Selective-area growth of single-crystal wurtzite GaN nanorods on SiO(x)/Si(001) substrates by reactive magnetron sputter epitaxy exhibiting single-mode lasing

Selective-area growth (SAG) of single-crystal wurtzite GaN nanorods (NRs) directly onto Si(001) substrates with un-etched native SiO(x) amorphous layer, assisted by a patterning TiN(x) mask fabricated by nanosphere lithography (NSL), has been realized by reactive magnetron sputter epitaxy (MSE). The...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Sci Rep
Main Authors: Serban, Elena Alexandra, Palisaitis, Justinas, Yeh, Chia-Cheng, Hsu, Hsu-Cheng, Tsai, Yu-Lin, Kuo, Hao-Chung, Junaid, Muhammad, Hultman, Lars, Persson, Per Ola Åke, Birch, Jens, Hsiao, Ching-Lien
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Nature Publishing Group UK 2017
נושאים:
Article
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5629253/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28983102
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-12702-y
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים