Đang tải...
Strain-engineered growth of two-dimensional materials
The application of strain to semiconductors allows for controlled modification of their band structure. This principle is employed for the manufacturing of devices ranging from high-performance transistors to solid-state lasers. Traditionally, strain is typically achieved via growth on lattice-misma...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Nat Commun |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group UK
2017
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5606995/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28931806 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41467-017-00516-5 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|