Surface Energy Driven Cubic-to-Hexagonal Grain Growth of Ge(2)Sb(2)Te(5) Thin Film

Phase change memory (PCM) is a promising nonvolatile memory to reform current commercial computing system. Inhibiting face-centered cubic (f-) to hexagonal (h-) phase transition of Ge(2)Sb(2)Te(5) (GST) thin film is essential for realizing high-density, high-speed, and low-power PCM. Although the at...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Sci Rep
Main Authors: Zheng, Yonghui, Cheng, Yan, Huang, Rong, Qi, Ruijuan, Rao, Feng, Ding, Keyuan, Yin, Weijun, Song, Sannian, Liu, Weili, Song, Zhitang, Feng, Songlin
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Nature Publishing Group UK 2017
נושאים:
Article
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5517630/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28725023
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-06426-2
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים