Graphene as a Buffer Layer for Silicon Carbide-on-Insulator Structures

We report an innovative technique for growing the silicon carbide-on-insulator (SiCOI) structure by utilizing polycrystalline single layer graphene (SLG) as a buffer layer. The epitaxial growth was carried out using a hot-mesh chemical vapor deposition (HM-CVD) technique. Cubic SiC (3C-SiC) thin fil...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Materials (Basel)
Hlavní autoři: Astuti, Budi, Tanikawa, Masahiro, Rahman, Shaharin Fadzli Abd, Yasui, Kanji, Hashim, Abdul Manaf
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: MDPI 2012
Témata:
Article
On-line přístup:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5449006/
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma5112270
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!

Podobné jednotky