Načítá se...
Layer Transfer from Chemically Etched 150 mm Porous Si Substrates
We demonstrate for the first time the successful layer transfer of an epitaxially grown monocrystalline Si film from a purely chemically etched porous Si substrate of 150 mm diameter to a glass carrier. The surface conditioning for all Si layer transfer processes based on porous Si has been, up to n...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , , , , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
MDPI
2011
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5448588/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28879959 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma4050941 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|