Đang tải...
The resonant interaction between anions or vacancies in ZnON semiconductors and their effects on thin film device properties
Zinc oxynitride (ZnON) semiconductors are suitable for high performance thin-film transistors (TFTs) with excellent device stability under negative bias illumination stress (NBIS). The present work provides a first approach on the optimization of electrical performance and stability of the TFTs via...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sci Rep |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group UK
2017
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5437099/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28522801 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-02336-5 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|