Inter-Layer Coupling Induced Valence Band Edge Shift in Mono- to Few-Layer MoS(2)

Recent progress in the synthesis of monolayer MoS(2), a two-dimensional direct band-gap semiconductor, is paving new pathways toward atomically thin electronics. Despite the large amount of literature, fundamental gaps remain in understanding electronic properties at the nanoscale. Here, we report a...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Sci Rep
Main Authors: Trainer, Daniel J., Putilov, Aleksei V., Di Giorgio, Cinzia, Saari, Timo, Wang, Baokai, Wolak, Mattheus, Chandrasena, Ravini U., Lane, Christopher, Chang, Tay-Rong, Jeng, Horng-Tay, Lin, Hsin, Kronast, Florian, Gray, Alexander X., Xi, Xiaoxing X., Nieminen, Jouko, Bansil, Arun, Iavarone, Maria
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Nature Publishing Group 2017
נושאים:
Article
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5233980/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28084465
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep40559
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים