Đang tải...
Design and fabrication of high-performance diamond triple-gate field-effect transistors
The lack of large-area single-crystal diamond wafers has led us to downscale diamond electronic devices. Here, we design and fabricate a hydrogenated diamond (H-diamond) triple-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) to extend device downscaling and increase device output cur...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sci Rep |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group
2016
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5052526/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27708372 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep34757 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|