Dual-mode operation of 2D material-base hot electron transistors

Vertical hot electron transistors incorporating atomically-thin 2D materials, such as graphene or MoS(2), in the base region have been proposed and demonstrated in the development of electronic and optoelectronic applications. To the best of our knowledge, all previous 2D material-base hot electron...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Sci Rep
Những tác giả chính: Lan, Yann-Wen, Torres, Jr., Carlos M., Zhu, Xiaodan, Qasem, Hussam, Adleman, James R., Lerner, Mitchell B., Tsai, Shin-Hung, Shi, Yumeng, Li, Lain-Jong, Yeh, Wen-Kuan, Wang, Kang L.
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Nature Publishing Group 2016
Những chủ đề:
Article
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5007484/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27581550
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep32503
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự