Approaching the ideal elastic strain limit in silicon nanowires

Achieving high elasticity for silicon (Si) nanowires, one of the most important and versatile building blocks in nanoelectronics, would enable their application in flexible electronics and bio-nano interfaces. We show that vapor-liquid-solid–grown single-crystalline Si nanowires with diameters of ~1...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Sci Adv
Główni autorzy: Zhang, Hongti, Tersoff, Jerry, Xu, Shang, Chen, Huixin, Zhang, Qiaobao, Zhang, Kaili, Yang, Yong, Lee, Chun-Sing, Tu, King-Ning, Li, Ju, Lu, Yang
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: American Association for the Advancement of Science 2016
Hasła przedmiotowe:
Research Articles
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4988777/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27540586
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1126/sciadv.1501382
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Podobne zapisy