Energy Bandgap and Edge States in an Epitaxially Grown Graphene/h-BN Heterostructure

Securing a semiconducting bandgap is essential for applying graphene layers in switching devices. Theoretical studies have suggested a created bulk bandgap in a graphene layer by introducing an asymmetry between the A and B sub-lattice sites. A recent transport measurement demonstrated the presence...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Sci Rep
Główni autorzy: Hwang, Beomyong, Hwang, Jeongwoon, Yoon, Jong Keon, Lim, Sungjun, Kim, Sungmin, Lee, Minjun, Kwon, Jeong Hoon, Baek, Hongwoo, Sung, Dongchul, Kim, Gunn, Hong, Suklyun, Ihm, Jisoon, Stroscio, Joseph A., Kuk, Young
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: Nature Publishing Group 2016
Hasła przedmiotowe:
Article
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4977565/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27503427
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep31160
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Podobne zapisy