Đang tải...
Electronic Structures of Free-Standing Nanowires made from Indirect Bandgap Semiconductor Gallium Phosphide
We present a theoretical study of the electronic structures of freestanding nanowires made from gallium phosphide (GaP)—a III-V semiconductor with an indirect bulk bandgap. We consider [001]-oriented GaP nanowires with square and rectangular cross sections, and [111]-oriented GaP nanowires with hexa...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sci Rep |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group
2016
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4910168/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27307081 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep28240 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|