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Anomalous electronic structure and magnetoresistance in TaAs(2)

The change in resistance of a material in a magnetic field reflects its electronic state. In metals with weakly- or non-interacting electrons, the resistance typically increases upon the application of a magnetic field. In contrast, negative magnetoresistance may appear under some circumstances, e.g...

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Detalhes bibliográficos
Publicado no:Sci Rep
Main Authors: Luo, Yongkang, McDonald, R. D., Rosa, P. F. S., Scott, B., Wakeham, N., Ghimire, N. J., Bauer, E. D., Thompson, J. D., Ronning, F.
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: Nature Publishing Group 2016
Assuntos:
Acesso em linha:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4895157/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27271852
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep27294
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