Đang tải...
Degradation of GaAs/AlGaAs Quantized Hall Resistors With Alloyed AuGe/Ni Contacts
Careful testing over a period of 6 years of a number of GaAs/AlGaAs quantized Hall resistors (QHR) made with alloyed AuGe/Ni contacts, both with and without passivating silicon nitride coatings, has resulted in the identification of important mechanisms responsible for degradation in the performance...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | J Res Natl Inst Stand Technol |
|---|---|
| Tác giả chính: | |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
[Gaithersburg, MD] : U.S. Dept. of Commerce, National Institute of Standards and Technology
1998
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4890946/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28009368 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.6028/jres.103.012 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|