Spin-texture inversion in the giant Rashba semiconductor BiTeI

Semiconductors with strong spin–orbit interaction as the underlying mechanism for the generation of spin-polarized electrons are showing potential for applications in spintronic devices. Unveiling the full spin texture in momentum space for such materials and its relation to the microscopic structur...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Nat Commun
Những tác giả chính: Maaß, Henriette, Bentmann, Hendrik, Seibel, Christoph, Tusche, Christian, Eremeev, Sergey V., Peixoto, Thiago R. F., Tereshchenko, Oleg E., Kokh, Konstantin A., Chulkov, Evgueni V., Kirschner, Jürgen, Reinert, Friedrich
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Nature Publishing Group 2016
Những chủ đề:
Article
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4873970/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27188584
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/ncomms11621
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự