InGaAs/InAlAs single photon avalanche diode for 1550 nm photons

A single photon avalanche diode (SPAD) with an InGaAs absorption region, and an InAlAs avalanche region was designed and demonstrated to detect 1550 nm wavelength photons. The characterization included leakage current, dark count rate and single photon detection efficiency as functions of temperatur...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:R Soc Open Sci
المؤلفون الرئيسيون: Meng, Xiao, Xie, Shiyu, Zhou, Xinxin, Calandri, Niccolò, Sanzaro, Mirko, Tosi, Alberto, Tan, Chee Hing, Ng, Jo Shien
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: The Royal Society Publishing 2016
الموضوعات:
Research Article
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4821258/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27069647
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1098/rsos.150584
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة