Đang tải...
Perpendicular magnetic tunnel junctions with a synthetic storage or reference layer: A new route towards Pt- and Pd-free junctions
We report here the development of Pt and Pd-free perpendicular magnetic tunnel junctions (p-MTJ) for STT-MRAM applications. We start by studying a p-MTJ consisting of a bottom synthetic Co/Pt reference layer and a synthetic FeCoB/Ru/FeCoB storage layer covered with an MgO layer. We first investigate...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sci Rep |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group
2016
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4756698/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26883933 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep21246 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|